Установка 3D CD AFM
pSTEP 300

Установка атомно-силовой микроскопии для измерения критических размеров двухмерных и трехмерных структур сложного профиля неразрушающими методами с высоким разрешением — 3D CD AFM для решения задач метрологии и инспекции в полупроводниковой промышленности.

Автоматизация измерений

Прибор pSTEP 300 специально спроектирован для максимально автоматизированной работы в помещениях высокого класса чистоты (вплоть до ISO 3) для полноценной интеграции в современные технологические цепочки микроэлектронного производства.

pSTEP 300 может быть опционально оснащён автозагрузчиком образцов (пластин или фотошаблонов) любых стандартных размеров.

В отличие от конвенциональных атомно-силовых микроскопов в установке pSTEP 300 предусмотрены специальные бесконтактные режимы работы, в которых раскачка зонда производится независимо в нормальной и латеральной плоскости на различных высоких частотах, а для повышения отношения сигнал/шум при измерении параметров колебаний зонда в измерительной головке независимо работают два дефлектометра с разделением сигналов синхронными детекторами.

Предусмотренная в конструкции прибора pSTEP 300 безопасная вакуумная фиксация измеряемого объекта гарантирует жесткую привязку его положения к позиционной координатной сетке и отсутствие привносимой дефектности.

Оригинальные конструктивные решения гарантируют низкий уровень температурных дрейфов и механических вибраций как при длительной непрерывной работе микроскопа, так и при его периодической эксплуатации.

Позволяет определять:

вариацию ширины и непрямолинейность заданной линии (LWR, LER),
геометрические размеры малых объектов как в латеральных, так и в вертикальных измерениях,
величины углов наклона стенок (SWA),
шероховатость горизонтальных поверхностей (на уровне от 1 нм),
шероховатость вертикальных и наклонных поверхностей (на уровне от 1 нм),
глубину канавок,
высоту ступенек,
иные геометрические характеристики.

Цифровое управление

Современный цифровой контроллер обеспечивает возможность быстрых атомно-силовых измерений как в режимах полного трехмерного сканирования заданной пространственной области, так и сканирование вдоль любой заданной пространственной плоскости и вдоль любой заданной линии в пространстве, в том числе в режиме быстрого сканирования с автоматической оптимизацией параметров обратной связи сканирующей АСМ головки.

Технические параметры

Линейный размер измеряемой структуры	от 1 нм до 10 мкм
Допустимый угол наклона стенки	от 0° до 100° (отрицательный угол)
Минимальная гарантируемая измеряемая шероховатость боковой стенки	от 1 нм
Минимальная гарантируемая измеряемая шероховатость горизонтальной поверхности	от 1 нм
Допустимая глубина структуры типа «колодец»	до 10 мкм

УНИКАЛЬНЫЕ РЕШЕНИЯ

Для работы со структурами сложного геометрического профиля в системе pSTEP 300 предусмотрено уникальное техническое решение, обеспечивающее возможность контролируемо менять угол наклона балки зонда-кантилевера относительно базовой плоскости пластины, что позволяет промерять структуры типа «колодец» большой глубины, даже с отрицательным углом наклона стенок, без использования дорогих малодоступных зондов-кантилеверов якорного форм-фактора (T-shape).

Благодаря уникальной конструкции pSTEP 300 может измерять различные геометрические параметры микроэлектронных структур, полученных в ходе технологических процессов фотолитографии, и микроэлектронных фотошаблонов с нанометровой точностью.

Оригинальный принцип работы микроскопа гарантирует точное измерение геометрических параметров в любой проекции и вдоль любой пространственной оси, что выгодно отличает pSTEP 300 от очень дорогих специализированных CD SEM для задач метрологии и инспекции в микроэлектронной отрасли.